@ 2013.01.05 , 18:43

科学家为下一代高速电子工程发布新型2D材料

CSIRO(联邦科学与工业研究组织)和RMIT(皇家墨尔本理工)大学制造出了一种新型二维材料,可能引起电子市场的革命,让市场变得更加‘纳米’。

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这种材料由多层钼氧化合物晶体组成,它有一种独特的性能,能够激励电子以超高速自由移动。论文发布在科学杂志Advanced Materials上,研究者解释了他们如何利用石墨烯去创造有传导性的新型纳米材料。尽管石墨烯支持高速电子,然而它的物理性质阻碍了实际利用。

Serge Zhuikov 博士说:“新型的纳米材料由多层薄片构成,类似于铅笔中使用的石墨。在这些层级之间,电子能够高速猛冲、并伴随最小的散射。”

Kourosh Kalantar-zadeh 说道:“研究移除了阻碍电子移动的‘路障’,为高速电子工程提供了前提。传统材料中电子因为遭遇‘路障’而分散,而新材料内电子可以直接通过。得益于电子移动加快,我们能制造出更小、数据传输速率更高的设备。在我们用新型2D材料制造出真正的小物件前,这次突破是整个进程的基础。”

研究者声称用一种‘剥落’的方法创造此物质,大概11nm厚。它的电子流动性值(electron mobility values)>1,100cm2/Vs——超过了现有的低维度硅的工业标准。本文译自 PHYS,由译者 燃烧的冰棒 基于创作共用协议(BY-NC)发布。


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