Zuofei @ 2006.12.13 , 01:33
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存储芯片有了新突破

??储芯片有了新突破IBM 科学家们宣布他们已经找到一种新材料,它能使“相变”存储芯片的读写速度提高到普通“闪存”芯片读写速度的 500 到 1000 倍,而且相比之下更加省电。

相变存储器集 DRAM 的高速度和 Flash 的存储性于一身,无疑将在未来的存储系统中扮演重要的角色。
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TOTAL COMMENTS: 6+1

  1. 1419

    牛啊 !
    硬盘必将被历史遗弃~

    OO [0] XX [1]
  2. 35374

    我以为是的。
    就是不知到成本啊。。。能不能轻松过T呢…

    OO [0] XX [0]
  3. caps lock
    @7 years ago
    417012

    看过…………

    OO [0] XX [0]
  4. 黑白
    @6 years ago
    671225

    尚未成真

    OO [0] XX [0]
  5. 732991

    到时候考黄带就更快了

    OO [3] XX [0]
  6. Jacklyn
    @5 years ago
    814301

    Well done airltce that. I’ll make sure to use it wisely.

    OO [0] XX [0]

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